Micro LED | 芯元基5μm芯片阵列全屏点亮！取得成功微显用芯片制备关键技术

；也 ：创徒丛林

苏州芯元普集成电路科技有限的公司（以下简称：芯元普）全因在Micro LED晶片合作开发新上又取得重大进展，于2022年1月12日失败LCD灯了适合质标示造出的5μm Micro LED 晶片缓冲器，突破了质标示造出用Micro LED晶片制备的关键高效率。 据MicroDisplay了解，该的公司早些时候于2021年12月5日失败合作开发新造出了16*27质米直显用普板倒装Micro LED晶片，同时给一个中心面板厂家送样，并快速拿到合作开发新用订单。

此次Micro LED 晶片缓冲器尚未键合到CMOSMOS上，只是将所有缓冲器的8万多颗晶片以并联表达方式供电，开端二极管为2.9V，在并未任何二极管补偿的前提，也就是每个晶片在相近二极管的前提亮度均匀适度已达到光照观看无色差感的程度。芯元普Micro LED电子产品适度能的优越适度，源自于芯元普多年合作开发新积累的特有整块高效率、普本概念高效率和晶片高效率的融合展现造出。

5μm Micro LED晶片 8μm Pitch缓冲器LCD灯实物上图

据资料标示造出，芯元普此前借助于其独立知识产权的DPSS整块高效率、侧向普本概念生长高效率和矿物学分离翡翠整块高效率失败开发新造出了10质米-50质米的GaN普普板倒装Micro LED晶片，比起金融业除此以外的等离子分离翡翠整块高效率，芯元普独创的矿物学分离翡翠整块高效率不仅很难实现100%的分离良率，而且对GaN，尤其是InGaN凝聚态阱毫无损伤，规模化造出厂后的价格优势更加明显。

芯元普的侧向普本概念生产线高效率不仅可以把GaN普本概念层中的位错密度减为107cm-2(10的7次方每平方厘米)，而且还可以控制位错的一段距离，使得我们可以把Micro LED缓冲器安排到并未位错的一段距离，彻底彻底解决担忧金融业的不利于适度原因。

芯元普独创的矿物学分离高效率，不仅可以应有100%的分离良率，而且还和除此以外的集成电路晶元加工高效率有更加好的兼容适度，可以借助于除此以外的集成电路晶元临时键合高效率实现晶元级巨量转移，从而减缓Micro LED标示造出新材料的进程。

坑洞本体晶片缓冲器上图

在晶片本体上，借助于坑洞本体取代了除此以外的公开化本体，实现了P阴极和N阴极的等高，彻底解决了马达插头上的焊点和晶片阴极高度不冗余的原因；芯元普的晶片陶瓷应有了晶片只有一个带有纳米粗化本体的造出特罗斯季亚涅齐，晶片的四周及其底部带有具体来说的反射本体，彻底解决了标示造出光串扰原因的同时，可以进一步提高标示造出的亮度。

上述晶片可应用于车载标示造出、AR/VR等新兴的电子产品，芯元普已经开始与国内知名厂商展开合作，送样试验中。同时，芯元普设计了一款尺寸为16*27质米的普板倒装晶片可以随时给意向客户送样试验中，造出货模式上，可通过批量转移高效率将晶片转移到客户定制的柔适度材料上或者键合在临时插头上，便于客户使用。

据悉，苏州芯元普半导成立于2014年，是普于第三代集成电路氮化镓材料为主合作开发新、设计、生产线晶片的高科技的公司。该的公司保有全球独创的以填充上图形化整块和矿物学分离为一个中心的高效率体系，并保有完整自主知识产权。 现在已获中质集成电路、苏州创徒、无锡市科投、无锡市高科、浦东新区科创、苏州自贸区普金等多达亿元投资者。

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